IR4010 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IR4010  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IR4010

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IR4010 даташит

 9.1. Size:518K  vishay
 sir401dp.pdf pdf_icon

IR4010

New Product SiR401DP Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0032 at VGS = - 10 V - 50 100% Rg and UIS Tested - 20 0.0042 at VGS = - 4.5 V - 50 97 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0077 at VGS = -

Другие транзисторы: IR2000, IR2002, IR2500, IR2501, IR2700, IR2701, IR3000, IR3001, S9014, IR4025, IR4026, IR4039, IR4040, IR4041, IR4045, IR4046, IR4047