2N3847 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3847  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO61

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2N3847 datasheet

 ..1. Size:67K  microsemi
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2N3847

TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/412 Devices Qualified Level JAN 2N3846 2N3847 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N3846 2N3847 Units Collector-Emitter Voltage 200 300 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 300 400 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 10 Vdc VEBO Collector Current 20 Adc IC Total Power Dissipation @ T = +250C (

 9.1. Size:659K  rca
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2N3847

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