J464 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: J464

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO22

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J464 datasheet

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J464

SQJ464EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.017 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.020 Material categorization ID (A) 24 For definitions of compliance please see Configuration Single www

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