J464 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: J464  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO22

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для J464

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

J464 даташит

 0.1. Size:319K  toshiba
 2sj464.pdf pdf_icon

J464

 0.2. Size:180K  vishay
 sqj464ep.pdf pdf_icon

J464

SQJ464EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.017 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.020 Material categorization ID (A) 24 For definitions of compliance please see Configuration Single www

Другие транзисторы: IT2906, IT2907, IT918, J24562, J460, J461, J462, J463, 2N5401, J465, J466, J581, J582, J583, J584, J585, J586