J465 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: J465 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO22
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J465 datasheet
2sj465.pdf
2SJ465 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L - -MOSV) 2SJ465 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit mm Applications 2.5 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 0.54 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 1.7 S (typ.) fs Low leakage current I = -100 A (max) DSS (V = -16 V) DS Enhance
sqj465ep.pdf
SQJ465EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 60 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.085 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.115 100 % Rg and UIS Tested ID (A) - 8 Compliant to RoHS Directive 200
Otros transistores... IT2907, IT918, J24562, J460, J461, J462, J463, J464, 2N3055, J466, J581, J582, J583, J584, J585, J586, J587
History: INC6006AP1 | IT122TO71
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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