J465 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: J465  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO22

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для J465

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

J465 даташит

 0.1. Size:371K  toshiba
 2sj465.pdf pdf_icon

J465

2SJ465 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L - -MOSV) 2SJ465 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit mm Applications 2.5 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 0.54 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 1.7 S (typ.) fs Low leakage current I = -100 A (max) DSS (V = -16 V) DS Enhance

 0.2. Size:192K  vishay
 sqj465ep.pdf pdf_icon

J465

SQJ465EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 60 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.085 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.115 100 % Rg and UIS Tested ID (A) - 8 Compliant to RoHS Directive 200

Другие транзисторы: IT2907, IT918, J24562, J460, J461, J462, J463, J464, 2N3055, J466, J581, J582, J583, J584, J585, J586, J587