J581 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: J581

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.675 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO22

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J581 datasheet

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J581

PRELIMINARY PRODUCT INFORMATION MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SJ581 SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SJ581 is P-Channel DMOS Field Effect Transistor that PART NUMBER PACKAGE features a low on-resistance and excellent switching 2SJ581 MP-10 characteristics, designed for high current switching applications such as DC to DC converter

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