J581 Todos los transistores

 

J581 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: J581
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.675 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO22
 

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J581 Datasheet (PDF)

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J581

PRELIMINARY PRODUCT INFORMATIONMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ581SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTION ORDERING INFORMATIONThe 2SJ581 is P-Channel DMOS Field Effect Transistor thatPART NUMBER PACKAGEfeatures a low on-resistance and excellent switching2SJ581 MP-10characteristics, designed for high current switching applicationssuch as DC to DC converter

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