J581 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: J581  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.675 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO22

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для J581

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

J581 даташит

 0.1. Size:37K  nec
 2sj581.pdf pdf_icon

J581

PRELIMINARY PRODUCT INFORMATION MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SJ581 SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SJ581 is P-Channel DMOS Field Effect Transistor that PART NUMBER PACKAGE features a low on-resistance and excellent switching 2SJ581 MP-10 characteristics, designed for high current switching applications such as DC to DC converter

Другие транзисторы: J24562, J460, J461, J462, J463, J464, J465, J466, TIP41, J582, J583, J584, J585, J586, J587, J588, J589