J581 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

J581 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: J581
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.675 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO22

 Аналоги (замена) для J581

 

J581 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:37K  nec
 2sj581.pdf pdf_icon

J581

PRELIMINARY PRODUCT INFORMATION MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SJ581 SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SJ581 is P-Channel DMOS Field Effect Transistor that PART NUMBER PACKAGE features a low on-resistance and excellent switching 2SJ581 MP-10 characteristics, designed for high current switching applications such as DC to DC converter

Другие транзисторы... J24562 , J460 , J461 , J462 , J463 , J464 , J465 , J466 , TIP41 , J582 , J583 , J584 , J585 , J586 , J587 , J588 , J589 .

 

 
Back to Top

 


 
.