Справочник транзисторов. J581

 

Биполярный транзистор J581 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: J581
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.675 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO22
 

 Аналог (замена) для J581

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

J581 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:37K  nec
 2sj581.pdf pdf_icon

J581

PRELIMINARY PRODUCT INFORMATIONMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ581SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTION ORDERING INFORMATIONThe 2SJ581 is P-Channel DMOS Field Effect Transistor thatPART NUMBER PACKAGEfeatures a low on-resistance and excellent switching2SJ581 MP-10characteristics, designed for high current switching applicationssuch as DC to DC converter

Другие транзисторы... J24562 , J460 , J461 , J462 , J463 , J464 , J465 , J466 , A1015 , J582 , J583 , J584 , J585 , J586 , J587 , J588 , J589 .

 

 
Back to Top

 


 
.