J583 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: J583  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.675 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO22

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J583 datasheet

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J583

Ordering number ENN6409 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ583LS Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2078B Micaless package facilitating mounting. [2SJ583LS] 4.5 10.0 2.8 3.2 0.9 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO TO-220FI-LS Specifications Absolute

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