J583 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: J583
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.675 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO22
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar J583
J583 Datasheet (PDF)
2sj583ls.pdf
Ordering number ENN6409 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ583LS Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2078B Micaless package facilitating mounting. [2SJ583LS] 4.5 10.0 2.8 3.2 0.9 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO TO-220FI-LS Specifications Absolute
Otros transistores... J461 , J462 , J463 , J464 , J465 , J466 , J581 , J582 , BC337 , J584 , J585 , J586 , J587 , J588 , J589 , J594 , J596 .
History: CHUMH7GP | CHDTC123YUGP | IMH9A | CHDTC143XEGP | CHIMB4GP | DTS4039 | CHDTC115EKGP
History: CHUMH7GP | CHDTC123YUGP | IMH9A | CHDTC143XEGP | CHIMB4GP | DTS4039 | CHDTC115EKGP
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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