J583 Todos los transistores

 

J583 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: J583
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.675 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO22
 

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J583 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:42K  sanyo
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J583

Ordering number:ENN6409P-Channel Silicon MOSFET2SJ583LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2078B Micaless package facilitating mounting.[2SJ583LS]4.510.02.83.20.91.20.70.751 2 31 : Gate2 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-220FI-LSSpecificationsAbsolute

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