J583 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: J583
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.675 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO22
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar J583
J583 Datasheet (PDF)
2sj583ls.pdf
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Ordering number:ENN6409P-Channel Silicon MOSFET2SJ583LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2078B Micaless package facilitating mounting.[2SJ583LS]4.510.02.83.20.91.20.70.751 2 31 : Gate2 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-220FI-LSSpecificationsAbsolute
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