J583 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: J583  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.675 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO22

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для J583

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

J583 даташит

 0.1. Size:42K  sanyo
 2sj583ls.pdf pdf_icon

J583

Ordering number ENN6409 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ583LS Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2078B Micaless package facilitating mounting. [2SJ583LS] 4.5 10.0 2.8 3.2 0.9 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO TO-220FI-LS Specifications Absolute

Другие транзисторы: J461, J462, J463, J464, J465, J466, J581, J582, BC337, J584, J585, J586, J587, J588, J589, J594, J596