J583 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

J583 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: J583
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.675 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO22

 Аналоги (замена) для J583

 

J583 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:42K  sanyo
 2sj583ls.pdf pdf_icon

J583

Ordering number ENN6409 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ583LS Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2078B Micaless package facilitating mounting. [2SJ583LS] 4.5 10.0 2.8 3.2 0.9 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO TO-220FI-LS Specifications Absolute

Другие транзисторы... J461 , J462 , J463 , J464 , J465 , J466 , J581 , J582 , BC337 , J584 , J585 , J586 , J587 , J588 , J589 , J594 , J596 .

History: BU361 | CHDTC124TKGP | DNLS160V

 

 
Back to Top

 


 
.