Справочник транзисторов. J583

 

Биполярный транзистор J583 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: J583
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.675 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO22
 

 Аналог (замена) для J583

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

J583 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:42K  sanyo
 2sj583ls.pdf pdf_icon

J583

Ordering number:ENN6409P-Channel Silicon MOSFET2SJ583LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2078B Micaless package facilitating mounting.[2SJ583LS]4.510.02.83.20.91.20.70.751 2 31 : Gate2 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-220FI-LSSpecificationsAbsolute

Другие транзисторы... J461 , J462 , J463 , J464 , J465 , J466 , J581 , J582 , D882 , J584 , J585 , J586 , J587 , J588 , J589 , J594 , J596 .

 

 
Back to Top

 


 
.