J630 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: J630

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 7 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 140

Encapsulados: TO5

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J630 datasheet

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J630

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor MJ6308 DESCRIPTION 700V Collector-Base Breakdown Capability Excellent Dynamic Saturation Characteristics Fast swithing Low Saturation Voltage Advanced Technology Replacement for the 2N6308 APPLICATIONS Designed in circuits requiring good dynamio saturation characteristics in swithin

Otros transistores... J596, J623, J624, J625, J626, J627, J628, J629, 2SD718, J631, JA100, JA100O, JA100P, JA100Q, JA100R, JA101, JA101O