J630. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: J630

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для J630

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

J630 даташит

 0.1. Size:199K  inchange semiconductor
 mj6308.pdf pdf_icon

J630

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor MJ6308 DESCRIPTION 700V Collector-Base Breakdown Capability Excellent Dynamic Saturation Characteristics Fast swithing Low Saturation Voltage Advanced Technology Replacement for the 2N6308 APPLICATIONS Designed in circuits requiring good dynamio saturation characteristics in swithin

Другие транзисторы: J596, J623, J624, J625, J626, J627, J628, J629, 2SD718, J631, JA100, JA100O, JA100P, JA100Q, JA100R, JA101, JA101O