JA101P . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JA101P
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 130 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 135
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de JA101P
JA101P Datasheet (PDF)
ja101 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186JA101PNP general purpose transistor1998 Aug 04Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 10File under Discrete Semiconductors, SC10Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor JA101FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: R340 | BFQ80 | BFN37 | 3DA5C | 3DD3320_AN | MP5550R | PMBT4401YS
History: R340 | BFQ80 | BFN37 | 3DA5C | 3DD3320_AN | MP5550R | PMBT4401YS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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