JA101P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JA101P

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для JA101P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

JA101P даташит

 9.1. Size:49K  philips
 ja101 3.pdf pdf_icon

JA101P

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 JA101 PNP general purpose transistor 1998 Aug 04 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 10 File under Discrete Semiconductors, SC10 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistor JA101 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V). 1 base

Другие транзисторы: J631, JA100, JA100O, JA100P, JA100Q, JA100R, JA101, JA101O, MJE340, JA101Q, JA101R, JA1100, JC327, JC327-16, JC327-25, JC327-40, JC327A