2N3854 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N3854
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 18 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de 2N3854
2N3854 Datasheet (PDF)
2n3859a.pdf
2N3859ANPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 300mA. Sourced from Process 10. See PN100 for characteristics.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCEO C
2n3711 2n3721 2n3827 2n3858 2n3858a 2n3859 2n3859a 2n3860 2n3877 2n3877a 2n3900 2n3900a 2n3901 2n3903 2n3904 2n3905.pdf
Otros transistores... 2N3847 , 2N3848 , 2N3849 , 2N385 , 2N3850 , 2N3851 , 2N3852 , 2N3853 , TIP32C , 2N3854A , 2N3855 , 2N3855A , 2N3856 , 2N3856A , 2N3857 , 2N3858 , 2N3858A .
Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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