K2101 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: K2101
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO50
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K2101 Datasheet (PDF)
2sk2101 01mr.pdf
N-channel MOS-FET2SK2101-01MRFAP-IIA Series 800V 2,1 6A 50W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Avalanche Proof> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteristics > Equ
ftk2101.pdf
SEMICONDUCTORFTK2101TECHNICAL DATA20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 21SOT323APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3D Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc G1S2MARKING: TS1 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise n
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050