K2101B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: K2101B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1.7IT MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO50

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K2101B datasheet

 9.1. Size:175K  fuji
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K2101B

N-channel MOS-FET 2SK2101-01MR FAP-IIA Series 800V 2,1 6A 50W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics > Equ

 9.2. Size:162K  first silicon
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K2101B

SEMICONDUCTOR FTK2101 TECHNICAL DATA 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3 Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 2 1 SOT 323 APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3 D Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc G 1 S 2 MARKING TS1 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise n

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