Биполярный транзистор K2101B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: K2101B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.7IT MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO50
K2101B Datasheet (PDF)
2sk2101 01mr.pdf
N-channel MOS-FET2SK2101-01MRFAP-IIA Series 800V 2,1 6A 50W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Avalanche Proof> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteristics > Equ
ftk2101.pdf
SEMICONDUCTORFTK2101TECHNICAL DATA20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 21SOT323APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3D Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc G1S2MARKING: TS1 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise n
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050