K2101B - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

K2101B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: K2101B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.7IT MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO50
 

 Аналоги (замена) для K2101B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

K2101B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:175K  fuji
 2sk2101 01mr.pdf pdf_icon

K2101B

N-channel MOS-FET2SK2101-01MRFAP-IIA Series 800V 2,1 6A 50W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Avalanche Proof> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteristics > Equ

 9.2. Size:162K  first silicon
 ftk2101.pdf pdf_icon

K2101B

SEMICONDUCTORFTK2101TECHNICAL DATA20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 21SOT323APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3D Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc G1S2MARKING: TS1 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise n

Другие транзисторы... JO1006 , JO2015A , JO3020 , JO4036 , JO4045 , JO4075 , K2101 , K2101A , 2N5551 , K2102 , K2102A , K2102B , K2103 , K2103A , K2103B , K2104 , K2104A .

History: MJD127T4G | K2124A | 2SB688R

 

 
Back to Top

 


 
.