K2102B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: K2102B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 1700 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO50

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar K2102B

K2102B Datasheet (PDF)

9.1. Size:144K first silicon
ftk2102.pdf

SEMICONDUCTORFTK2102TECHNICAL DATA20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 21SOT323APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3 Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc 1 2 MARKING: TS2 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: K2108B

Liste

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