Биполярный транзистор K2102B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: K2102B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1700 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO50
K2102B Datasheet (PDF)
9.1. Size:144K first silicon
ftk2102.pdf
ftk2102.pdf
SEMICONDUCTORFTK2102TECHNICAL DATA20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 21SOT323APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3 Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc 1 2 MARKING: TS2 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050