K2102B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: K2102B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1700 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO50

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для K2102B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

K2102B даташит

 9.1. Size:144K  first silicon
 ftk2102.pdf pdf_icon

K2102B

SEMICONDUCTOR FTK2102 TECHNICAL DATA 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3 Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 2 1 SOT 323 APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3 Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc 1 2 MARKING TS2 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)

Другие транзисторы: JO4036, JO4045, JO4075, K2101, K2101A, K2101B, K2102, K2102A, 2N5551, K2103, K2103A, K2103B, K2104, K2104A, K2104B, K2105, K2105A