K2115B Todos los transistores

 

K2115B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K2115B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1700 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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K2115B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:33K  hitachi
 2sk2114 2sk2115.pdf pdf_icon

K2115B

2SK2114, 2SK2115Silicon N-Channel MOS FETApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulatorOutlineTO-220CFM1D231. GateG2. Drain3. SourceS2SK2114, 2SK2115Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to so

 9.2. Size:212K  inchange semiconductor
 2sk2115.pdf pdf_icon

K2115B

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2115DESCRIPTIONDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSHigh speed power switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSuitable for Switching regulatorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

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