K2115B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: K2115B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1700 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO72
Búsqueda de reemplazo de K2115B
K2115B Datasheet (PDF)
2sk2114 2sk2115.pdf

2SK2114, 2SK2115Silicon N-Channel MOS FETApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulatorOutlineTO-220CFM1D231. GateG2. Drain3. SourceS2SK2114, 2SK2115Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to so
2sk2115.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2115DESCRIPTIONDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSHigh speed power switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSuitable for Switching regulatorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: U2TD430
History: U2TD430



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor