K2115B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: K2115B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1700 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO72

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K2115B datasheet

 9.1. Size:33K  hitachi
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K2115B

2SK2114, 2SK2115 Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulator Outline TO-220CFM 1 D 2 3 1. Gate G 2. Drain 3. Source S 2SK2114, 2SK2115 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Drain to so

 9.2. Size:212K  inchange semiconductor
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K2115B

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2115 DESCRIPTION Drain Current I = 5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS High speed power switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Suitable for Switching regulator ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volta

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