K2115B Todos los transistores

 

K2115B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K2115B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1700 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO72

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar K2115B

 

K2115B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:33K  hitachi
 2sk2114 2sk2115.pdf pdf_icon

K2115B

2SK2114, 2SK2115 Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulator Outline TO-220CFM 1 D 2 3 1. Gate G 2. Drain 3. Source S 2SK2114, 2SK2115 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Drain to so

 9.2. Size:212K  inchange semiconductor
 2sk2115.pdf pdf_icon

K2115B

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2115 DESCRIPTION Drain Current I = 5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS High speed power switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Suitable for Switching regulator ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volta

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