K2115B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: K2115B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1700 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для K2115B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

K2115B даташит

 9.1. Size:33K  hitachi
 2sk2114 2sk2115.pdf pdf_icon

K2115B

2SK2114, 2SK2115 Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulator Outline TO-220CFM 1 D 2 3 1. Gate G 2. Drain 3. Source S 2SK2114, 2SK2115 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Drain to so

 9.2. Size:212K  inchange semiconductor
 2sk2115.pdf pdf_icon

K2115B

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2115 DESCRIPTION Drain Current I = 5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS High speed power switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Suitable for Switching regulator ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volta

Другие транзисторы: K2112A, K2112B, K2113A, K2113B, K2114A, K2114B, K2115, K2115A, A940, K2116A, K2116B, K2117A, K2117B, K2118, K2118A, K2118B, K2119