K2501 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: K2501  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1300 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO18

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K2501 datasheet

 0.1. Size:109K  renesas
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K2501

Preliminary Datasheet RQK2501YGDQA R07DS0312EJ0300 (Previous REJ03G1521-0200) Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features High drain to source voltage and Low gate drive VDSS 250 V and 2.5 V gate drive Low drive current High speed switching Small traditional package (MPAK) Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Pac

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