K2501 Todos los transistores

 

K2501 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K2501
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO18

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K2501 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:109K  renesas
 r07ds0312ej rqk2501ygd.pdf pdf_icon

K2501

Preliminary Datasheet RQK2501YGDQA R07DS0312EJ0300 (Previous REJ03G1521-0200) Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features High drain to source voltage and Low gate drive VDSS 250 V and 2.5 V gate drive Low drive current High speed switching Small traditional package (MPAK) Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Pac

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History: L2SC5635WT1G | 2SC2905 | KD606 | K2122B | BDT62CF | 2SD23 | GCN53

 

 
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