K2501 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: K2501  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для K2501

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

K2501 даташит

 0.1. Size:109K  renesas
 r07ds0312ej rqk2501ygd.pdf pdf_icon

K2501

Preliminary Datasheet RQK2501YGDQA R07DS0312EJ0300 (Previous REJ03G1521-0200) Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features High drain to source voltage and Low gate drive VDSS 250 V and 2.5 V gate drive Low drive current High speed switching Small traditional package (MPAK) Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Pac

Другие транзисторы: K2125A, K2125B, K2126, K2126A, K2126B, K2127, K2127A, K2127B, 2SA1015, K4-525, K9015, KC147, KC148, KC149, KC307A, KC307B, KC307C