KD502 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KD502  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 2 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO3

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KD502 datasheet

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KD502

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KD502

SKD502T, SKSS055N08N SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tes

Otros transistores... KD367A, KD367B, KD3772, KD3773, KD3773T, KD4025, KD4348, KD501, 2SA1837, KD503, KD5527, KD6001, KD601, KD602, KD605, KD606, KD607