KD502 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KD502
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 70 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO3
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KD502 Datasheet (PDF)
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kd501 kd502 kd503 kd601 kd602 kd605 kd606 kd607 kd3055 kd3442 kd3772 kd3773 kd4348 kd615 kd616 kd617.pdf
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SKD502T, SKSS055N08NSkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tes
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