KD502 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KD502  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KD502

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KD502 даташит

 ..1. Size:121K  tesla
 kd501 kd502 kd503 kd601 kd602 kd605 kd606 kd607 kd3055 kd3442 kd3772 kd3773 kd4348 kd615 kd616 kd617.pdf pdf_icon

KD502

 0.1. Size:601K  crhj
 skd502t skss055n08n.pdf pdf_icon

KD502

SKD502T, SKSS055N08N SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tes

Другие транзисторы: KD367A, KD367B, KD3772, KD3773, KD3773T, KD4025, KD4348, KD501, 2SA1837, KD503, KD5527, KD6001, KD601, KD602, KD605, KD606, KD607