KSB595 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSB595

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO220

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KSB595 datasheet

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KSB595

KSB596 Power Amplifier Applications Complement to KSD526 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 80 V VEBO Emitter-Base Voltage - 5 V IC Collector Current(DC) - 4 A IB Base Current - 0.4 A

 9.2. Size:228K  onsemi
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KSB595

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