KSB595 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSB595

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSB595

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSB595 даташит

 9.1. Size:46K  fairchild semi
 ksb596.pdf pdf_icon

KSB595

KSB596 Power Amplifier Applications Complement to KSD526 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 80 V VEBO Emitter-Base Voltage - 5 V IC Collector Current(DC) - 4 A IB Base Current - 0.4 A

 9.2. Size:228K  onsemi
 ksb596.pdf pdf_icon

KSB595

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы: KSB546O, KSB546R, KSB546Y, KSB564, KSB564A, KSB564AG, KSB564AO, KSB564AY, 2N4401, KSB596, KSB601, KSB601O, KSB601R, KSB707, KSB707O, KSB707R, KSB707Y