KSB795 Todos los transistores

 

KSB795 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSB795
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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KSB795 Datasheet (PDF)

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KSB795

July 2005KSB798PNP Epitaxial Silicon TransistorAudio Frequency Power Amplifier Collector Current : IC = -1A Collector Power Dissipation : PC = 2WMarking7 9 8P Y W WSOT-891Weekly code1. Base 2. Collector 3. EmitterYear codehFE grageAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -30 VVC

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History: INA6002AC1 | SDT9206 | BCW92KA | INC6001AC1 | MRF517 | BD745D | PBSS4350D

 

 
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