KSB795 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSB795

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для KSB795

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSB795 даташит

 9.1. Size:429K  fairchild semi
 ksb798.pdf pdf_icon

KSB795

July 2005 KSB798 PNP Epitaxial Silicon Transistor Audio Frequency Power Amplifier Collector Current IC = -1A Collector Power Dissipation PC = 2W Marking 7 9 8 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -30 V VC

Другие транзисторы: KSB772G, KSB772O, KSB772R, KSB772Y, KSB794, KSB794O, KSB794R, KSB794Y, BDT88, KSB795O, KSB795R, KSB795Y, KSB810, KSB810G, KSB810O, KSB810Y, KSB811