KSB817Y Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSB817Y
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 300 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO3P
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KSB817Y datasheet
ksb811.pdf
KSB811 Audio Frequency Power Amplifier Complement to KSD1021 Collector Current IC= -1A Collector Power Dissipation PC=350mW TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -30 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitt
ksb810.pdf
KSB810 Audio Frequency Amplifier Complement to KSD1020 TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -30 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base Voltage -5.0 V IC Collector Current (DC) -700 mA ICP * Collector Current
ksb811.pdf
KSB811 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-92S Complement to KSD1021 Collector Current IC= -1A Collector Dissipation PC=350mW ABSOLUTE MAXIMUM RATING(T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -30 V Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current IC -1.0 A Collector Dissip
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