KSB817Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KSB817Y
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 300 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KSB817Y

KSB817Y Datasheet (PDF)

9.1. Size:39K fairchild semi
ksb811.pdf

KSB811Audio Frequency Power Amplifier Complement to KSD1021 Collector Current : IC= -1A Collector Power Dissipation : PC=350mWTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -30 VVCEO Collector-Emitter Voltage -25 VVEBO Emitt

9.2. Size:36K fairchild semi
ksb810.pdf

KSB810Audio Frequency Amplifier Complement to KSD1020TO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -30 VVCEO Collector-Emitter Voltage -25 VVEBO Emitter-Base Voltage -5.0 VIC Collector Current (DC) -700 mAICP * Collector Current

9.3. Size:56K samsung
ksb811.pdf

KSB811 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORAUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIERTO-92S Complement to KSD1021 Collector Current IC= -1A Collector Dissipation PC=350mWABSOLUTE MAXIMUM RATING(T =25 )ACharacteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -30 VCollector-Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current IC -1.0 ACollector Dissip

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N3789XSMD

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: GN1A3Q | D965-KEHE | 2SD662B | 2SD661A | 2SC3080 | S9018L | S9012J | 2SA73L | 2SA73H | 2SA1015H | WT955 | TS13005CK | TP5001P3 | SS8550W-L | SS8550W-J | SS8550W-H | SS8550E | SS8550D | SS8550C | SS8050E | SS8050D