Биполярный транзистор KSB817Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSB817Y
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO3P
KSB817Y Datasheet (PDF)
ksb811.pdf
KSB811Audio Frequency Power Amplifier Complement to KSD1021 Collector Current : IC= -1A Collector Power Dissipation : PC=350mWTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -30 VVCEO Collector-Emitter Voltage -25 VVEBO Emitt
ksb810.pdf
KSB810Audio Frequency Amplifier Complement to KSD1020TO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -30 VVCEO Collector-Emitter Voltage -25 VVEBO Emitter-Base Voltage -5.0 VIC Collector Current (DC) -700 mAICP * Collector Current
ksb811.pdf
KSB811 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORAUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIERTO-92S Complement to KSD1021 Collector Current IC= -1A Collector Dissipation PC=350mWABSOLUTE MAXIMUM RATING(T =25 )ACharacteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -30 VCollector-Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current IC -1.0 ACollector Dissip
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
