KSC2982D Todos los transistores

 

KSC2982D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSC2982D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 27 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 420

Encapsulados: SOT89

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KSC2982D datasheet

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KSC2982D

July 2005 KSC2982 NPN Epitaxial Silicon Transistor Strobe Flash & Medium Power Amplifier Excellent hFE Linearity hFE1=140 600 Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)=0.5V Collector Dissipation PC=1 2W in Mounted on Ceramic Board Marking 2 9 8 2 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings

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