KSC2982D Todos los transistores

 

KSC2982D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSC2982D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 27 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 420
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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KSC2982D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:428K  fairchild semi
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KSC2982D

July 2005KSC2982NPN Epitaxial Silicon TransistorStrobe Flash & Medium Power Amplifier Excellent hFE Linearity : hFE1=140 ~ 600 Low Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat)=0.5V Collector Dissipation : PC=1~2W in Mounted on Ceramic BoardMarking2 9 8 2P Y W WSOT-891Weekly code1. Base 2. Collector 3. EmitterYear codehFE grageAbsolute Maximum Ratings

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History: 2SA1037-Q | 2SA151

 

 
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