Биполярный транзистор KSC2982D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSC2982D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
Корпус транзистора: SOT89
KSC2982D Datasheet (PDF)
7.1. Size:428K fairchild semi
ksc2982.pdf
ksc2982.pdf
July 2005KSC2982NPN Epitaxial Silicon TransistorStrobe Flash & Medium Power Amplifier Excellent hFE Linearity : hFE1=140 ~ 600 Low Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat)=0.5V Collector Dissipation : PC=1~2W in Mounted on Ceramic BoardMarking2 9 8 2P Y W WSOT-891Weekly code1. Base 2. Collector 3. EmitterYear codehFE grageAbsolute Maximum Ratings
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
