2N396 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N396
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 24 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO5
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N396
2N396 Datasheet (PDF)
2n3964dcsm.pdf
2N3964DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar PNP Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 45V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.2A C(0.0
2n3960.pdf
Data Sheet No. 2N3960Generic Part Number:Type 2N39602N3960Geometry 0003Polarity NPNREF: MIL-PRF-19500/399Qual Level: JAN - JANTXVFeatures: General-purpose low-power NPNsilicon transistor. Housed in TO-18 case. Also available in chip form usingthe 0003 chip geometry. The Min and Max limits shown areper MIL-PRF-19500/399 whichSemicoa meets in all cases.
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
