Биполярный транзистор 2N396 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N396
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO5
2N396 Datasheet (PDF)
2n3964dcsm.pdf
2N3964DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar PNP Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 45V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.2A C(0.0
2n3960.pdf
Data Sheet No. 2N3960Generic Part Number:Type 2N39602N3960Geometry 0003Polarity NPNREF: MIL-PRF-19500/399Qual Level: JAN - JANTXVFeatures: General-purpose low-power NPNsilicon transistor. Housed in TO-18 case. Also available in chip form usingthe 0003 chip geometry. The Min and Max limits shown areper MIL-PRF-19500/399 whichSemicoa meets in all cases.
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050