KSC815G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSC815G
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 200
Encapsulados: TO92
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KSC815G datasheet
ksc815.pdf
KSC815 Low Frequency Amplifier & High Frequency Oscillator Collector-Base Voltage VCBO=60V Complement to KSA539 Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Volta
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