KSC815G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSC815G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSC815G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC815G даташит

 8.1. Size:38K  fairchild semi
 ksc815.pdf pdf_icon

KSC815G

KSC815 Low Frequency Amplifier & High Frequency Oscillator Collector-Base Voltage VCBO=60V Complement to KSA539 Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Volta

Другие транзисторы: KSC5328, KSC5337, KSC5337F, KSC5338, KSC5338F, KSC5367, KSC5367F, KSC815, 2222A, KSC815O, KSC815R, KSC815Y, KSC838, KSC838O, KSC838R, KSC838Y, KSC839