KSC815Y Todos los transistores

 

KSC815Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSC815Y
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO92

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KSC815Y Datasheet (PDF)

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KSC815Y

KSC815 Low Frequency Amplifier & High Frequency Oscillator Collector-Base Voltage VCBO=60V Complement to KSA539 Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Volta

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History: CHT210PGP | ISA1287AS1 | NTE377 | IMBT4401 | CHT2222SGP | NSS20500UW3 | INC5006AC1

 

 
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