KSD1943 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSD1943
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 400
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de KSD1943
KSD1943 Datasheet (PDF)
ksd1944.pdf

KSD1944High Gain Power TransistorTO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 8 VIC Collector Current 3 APC Collector Current (TC=25C) 30 W TJ Junction Temperature 15
Otros transistores... KSD1691O , KSD1691Q , KSD1691Y , KSD1692 , KSD1692G , KSD1692O , KSD1692Y , KSD1693 , C3198 , KSD1944 , KSD2012 , KSD2012G , KSD2012Y , KSD2058 , KSD227 , KSD227G , KSD227O .
History: BF717EA | 2SC2995



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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