KSD2012G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSD2012G
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 9 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KSD2012G
KSD2012G Datasheet (PDF)
ksd2012.pdf
KSD2012Low Frequency Power Amplifier Complement to KSB1366TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector Current 3 AIB Base Current 0.3 APC Collector
ksd2058.pdf
KSD2058Low Frequency Power AmplifierTO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector Current 3 AIB Base Current 0.5 APC Collector Dissipation (Ta=25C) 1.5
ksd2058.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSD2058 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type KSB1366 APPLICATIONS With general purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MAX UNITVCBO
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