KSD2012G - описание и поиск аналогов

 

KSD2012G - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSD2012G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSD2012G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD2012G - технические параметры

 7.1. Size:46K  fairchild semi
 ksd2012.pdf pdf_icon

KSD2012G

KSD2012 Low Frequency Power Amplifier Complement to KSB1366 TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current 3 A IB Base Current 0.3 A PC Collector

 9.1. Size:46K  fairchild semi
 ksd2058.pdf pdf_icon

KSD2012G

KSD2058 Low Frequency Power Amplifier TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current 3 A IB Base Current 0.5 A PC Collector Dissipation (Ta=25 C) 1.5

 9.2. Size:120K  inchange semiconductor
 ksd2058.pdf pdf_icon

KSD2012G

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSD2058 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type KSB1366 APPLICATIONS With general purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MAX UNIT VCBO

Другие транзисторы... KSD1692 , KSD1692G , KSD1692O , KSD1692Y , KSD1693 , KSD1943 , KSD1944 , KSD2012 , 2SC945 , KSD2012Y , KSD2058 , KSD227 , KSD227G , KSD227O , KSD227Y , KSD261 , KSD261G .

 

 
Back to Top

 


 
.