KSD2012G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSD2012G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSD2012G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD2012G даташит

 7.1. Size:46K  fairchild semi
 ksd2012.pdf pdf_icon

KSD2012G

KSD2012 Low Frequency Power Amplifier Complement to KSB1366 TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current 3 A IB Base Current 0.3 A PC Collector

 9.1. Size:46K  fairchild semi
 ksd2058.pdf pdf_icon

KSD2012G

KSD2058 Low Frequency Power Amplifier TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current 3 A IB Base Current 0.5 A PC Collector Dissipation (Ta=25 C) 1.5

 9.2. Size:120K  inchange semiconductor
 ksd2058.pdf pdf_icon

KSD2012G

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSD2058 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type KSB1366 APPLICATIONS With general purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MAX UNIT VCBO

Другие транзисторы: KSD1692, KSD1692G, KSD1692O, KSD1692Y, KSD1693, KSD1943, KSD1944, KSD2012, 2SC945, KSD2012Y, KSD2058, KSD227, KSD227G, KSD227O, KSD227Y, KSD261, KSD261G