KSD986 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSD986
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 8000
Paquete / Cubierta: TO126
Búsqueda de reemplazo de KSD986
KSD986 Datasheet (PDF)
ksd985.pdf

KSD985/986Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switching Industrial UseTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Volage : KSD985 60 V: KSD986 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 8.0 V IC C
Otros transistores... KSD882G , KSD882O , KSD882R , KSD882Y , KSD985 , KSD985O , KSD985R , KSD985Y , BC549 , KSD986O , KSD986R , KSD986Y , KSE13003 , KSE13004 , KSE13005 , KSE13005F , KSE13006 .
History: MJE3302 | 2N791 | 2N789
History: MJE3302 | 2N791 | 2N789



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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