Справочник транзисторов. KSD986

 

Биполярный транзистор KSD986 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSD986
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8000
   Корпус транзистора: TO126
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

 

KSD986 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:50K  fairchild semi
ksd985.pdf pdf_icon

KSD986
KSD986

KSD985/986Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switching Industrial UseTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Volage : KSD985 60 V: KSD986 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 8.0 V IC C

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top