Биполярный транзистор KSD986 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSD986
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8000
Корпус транзистора: TO126
KSD986 Datasheet (PDF)
9.1. Size:50K fairchild semi
ksd985.pdf
ksd985.pdf
KSD985/986Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switching Industrial UseTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Volage : KSD985 60 V: KSD986 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 8.0 V IC C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050