KSE200 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSE200  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 65 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 80 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 45

Encapsulados: TO126

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KSE200 datasheet

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KSE200

KSE200 Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product fT=65MHz @ IC=100mA (Min.) Complement to KSE210 TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V

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KSE200

KSE200 POWER TR CD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung Electronics Printed in Korea. Page 1 (KSE200) KSE200 POWER TR CD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung Electronics Printed in Korea. Page 2 (KSE200)

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