KSE200 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KSE200
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Корпус транзистора: TO126
Аналоги (замена) для KSE200
KSE200 - технические параметры
kse200.pdf
KSE200 Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product fT=65MHz @ IC=100mA (Min.) Complement to KSE210 TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
kse200.pdf
KSE200 POWER TR CD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung Electronics Printed in Korea. Page 1 (KSE200) KSE200 POWER TR CD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung Electronics Printed in Korea. Page 2 (KSE200)
Другие транзисторы... KSE13009 , KSE13009F , KSE170 , KSE171 , KSE172 , KSE180 , KSE181 , KSE182 , BC547 , KSE210 , KSE2955T , KSE3055T , KSE340 , KSE350 , KSE44H-1 , KSE44H-10 , KSE44H-11 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583



