Биполярный транзистор KSE200 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSE200
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Корпус транзистора: TO126
KSE200 Datasheet (PDF)
kse200.pdf
KSE200Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product : fT=65MHz @ IC=100mA (Min.) Complement to KSE210TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
kse200.pdf
KSE200POWER TRCD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung ElectronicsPrinted in Korea.Page : 1 (KSE200)KSE200POWER TRCD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung ElectronicsPrinted in Korea.Page : 2 (KSE200)
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ