Справочник транзисторов. KSE200

 

Биполярный транзистор KSE200 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSE200
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для KSE200

 

 

KSE200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  fairchild semi
kse200.pdf

KSE200 KSE200

KSE200Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product : fT=65MHz @ IC=100mA (Min.) Complement to KSE210TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V

 ..2. Size:88K  samsung
kse200.pdf

KSE200 KSE200

KSE200POWER TRCD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung ElectronicsPrinted in Korea.Page : 1 (KSE200)KSE200POWER TRCD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung ElectronicsPrinted in Korea.Page : 2 (KSE200)

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top