KSP05 Todos los transistores

 

KSP05 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSP05
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO92
 

 Búsqueda de reemplazo de KSP05

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KSP05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:35K  fairchild semi
 ksp05 ksp06.pdf pdf_icon

KSP05

KSP05/06Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO = KSP05: 60VKSP06: 80V Collector Dissipation: PC (max)=625mW Complement to KSP55/56TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector Base Voltage : KSP05 60 V: KSP06 80 VVCEO Col

 ..2. Size:45K  samsung
 ksp05.pdf pdf_icon

KSP05

KSP05/06 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORAMPLIFIER TRANSITORTO-92 Collector-Emitter Voltage: VCEO = KSP05: 60VKSP06: 80V Collector Dissipation: PC(max)=625mWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector Base Voltage VCBO :KSP05 60 V :KSP06 80 VCollector-Emitter Voltage VCEO :KST05 60 V :KST06 80 VEmitter-Base Voltage VEBO 4 V

Otros transistores... KSH44H11 , KSH44H11I , KSH45H11 , KSH45H11I , KSH47 , KSH47I , KSH50 , KSH50I , 2SC2482 , KSP06 , KSP10 , KSP12 , KSP13 , KSP14 , KSP17 , KSP20 , KSP2222 .

History: KRA113 | 2SC1729 | ASY54N | 40314S | BUW12AF | UMC5NT1G | U2T451

 

 
Back to Top

 


 
.