KSP05 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSP05  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSP05

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSP05 даташит

 ..1. Size:35K  fairchild semi
 ksp05 ksp06.pdf pdf_icon

KSP05

KSP05/06 Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO = KSP05 60V KSP06 80V Collector Dissipation PC (max)=625mW Complement to KSP55/56 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector Base Voltage KSP05 60 V KSP06 80 V VCEO Col

 ..2. Size:45K  samsung
 ksp05.pdf pdf_icon

KSP05

KSP05/06 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AMPLIFIER TRANSITOR TO-92 Collector-Emitter Voltage VCEO = KSP05 60V KSP06 80V Collector Dissipation PC(max)=625mW ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO KSP05 60 V KSP06 80 V Collector-Emitter Voltage VCEO KST05 60 V KST06 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 4 V

Другие транзисторы: KSH44H11, KSH44H11I, KSH45H11, KSH45H11I, KSH47, KSH47I, KSH50, KSH50I, 2N2907, KSP06, KSP10, KSP12, KSP13, KSP14, KSP17, KSP20, KSP2222