KST05 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KST05
Código: 1H
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KST05
KST05 Datasheet (PDF)
kst05 kst06.pdf
KST05/06Driver Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST05: 60V 3KST06: 80V Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW Complement to KST55/56 2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collecto-Base Voltage : KST05 60 V: KST06
kst05.pdf
KST05/06 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORDRIVER TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector Base Voltage VCBO :KST05 60 V :KST06 80 VCollector-Emitter Voltage VCEO :KST05 60 V :KST06 80 VEmitter-Base Voltage VEBO 4 VCollector Current IC 500 mACollector Dissipation PC 350 mWStorage Temperature TSTG 150 Thermal Resi
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
