KST05 Todos los transistores

 

KST05 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KST05
   Código: 1H
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KST05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:44K  fairchild semi
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KST05

KST05/06Driver Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST05: 60V 3KST06: 80V Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW Complement to KST55/56 2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collecto-Base Voltage : KST05 60 V: KST06

 ..2. Size:21K  samsung
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KST05

KST05/06 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORDRIVER TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector Base Voltage VCBO :KST05 60 V :KST06 80 VCollector-Emitter Voltage VCEO :KST05 60 V :KST06 80 VEmitter-Base Voltage VEBO 4 VCollector Current IC 500 mACollector Dissipation PC 350 mWStorage Temperature TSTG 150 Thermal Resi

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History: 2SD2281 | CI3392 | MT3S21P | NSBC114TDP6 | FXT38C

 

 
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