KST05 Todos los transistores

 

KST05 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KST05

Código: 1H

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SOT23

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KST05 datasheet

 ..1. Size:44K  fairchild semi
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KST05

KST05/06 Driver Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO = KST05 60V 3 KST06 80V Collector Power Dissipation PC (max) = 350mW Complement to KST55/56 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collecto-Base Voltage KST05 60 V KST06

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KST05

KST05/06 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DRIVER TRANSISTOR SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO KST05 60 V KST06 80 V Collector-Emitter Voltage VCEO KST05 60 V KST06 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 4 V Collector Current IC 500 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 Thermal Resi

Otros transistores... KSR2107 , KSR2108 , KSR2109 , KSR2110 , KSR2111 , KSR2112 , KSR2113 , KSR2114 , TIP2955 , KST06 , KST10 , KST1009F1 , KST1009F2 , KST1009F3 , KST1009F4 , KST1009F5 , KST13 .

 

 

 

 

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