Биполярный транзистор KST05 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KST05
Маркировка: 1H
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT23
KST05 Datasheet (PDF)
kst05 kst06.pdf
KST05/06Driver Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST05: 60V 3KST06: 80V Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW Complement to KST55/56 2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collecto-Base Voltage : KST05 60 V: KST06
kst05.pdf
KST05/06 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORDRIVER TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector Base Voltage VCBO :KST05 60 V :KST06 80 VCollector-Emitter Voltage VCEO :KST05 60 V :KST06 80 VEmitter-Base Voltage VEBO 4 VCollector Current IC 500 mACollector Dissipation PC 350 mWStorage Temperature TSTG 150 Thermal Resi
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
