Справочник транзисторов. KST05

 

Биполярный транзистор KST05 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KST05
   Маркировка: 1H
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для KST05

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KST05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:44K  fairchild semi
 kst05 kst06.pdf pdf_icon

KST05

KST05/06Driver Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST05: 60V 3KST06: 80V Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW Complement to KST55/56 2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collecto-Base Voltage : KST05 60 V: KST06

 ..2. Size:21K  samsung
 kst05.pdf pdf_icon

KST05

KST05/06 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORDRIVER TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector Base Voltage VCBO :KST05 60 V :KST06 80 VCollector-Emitter Voltage VCEO :KST05 60 V :KST06 80 VEmitter-Base Voltage VEBO 4 VCollector Current IC 500 mACollector Dissipation PC 350 mWStorage Temperature TSTG 150 Thermal Resi

Другие транзисторы... KSR2107 , KSR2108 , KSR2109 , KSR2110 , KSR2111 , KSR2112 , KSR2113 , KSR2114 , 2SD669 , KST06 , KST10 , KST1009F1 , KST1009F2 , KST1009F3 , KST1009F4 , KST1009F5 , KST13 .

History: CSD362 | TED1402C | FCX753 | MJD210 | CSAL1013 | 2SA210H | 2S39

 

 
Back to Top

 


 
.