KST05 - описание и поиск аналогов

 

KST05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KST05

Маркировка: 1H

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для KST05

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KST05 даташит

 ..1. Size:44K  fairchild semi
kst05 kst06.pdfpdf_icon

KST05

KST05/06 Driver Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO = KST05 60V 3 KST06 80V Collector Power Dissipation PC (max) = 350mW Complement to KST55/56 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collecto-Base Voltage KST05 60 V KST06

 ..2. Size:21K  samsung
kst05.pdfpdf_icon

KST05

KST05/06 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DRIVER TRANSISTOR SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO KST05 60 V KST06 80 V Collector-Emitter Voltage VCEO KST05 60 V KST06 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 4 V Collector Current IC 500 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 Thermal Resi

Другие транзисторы: KSR2107, KSR2108, KSR2109, KSR2110, KSR2111, KSR2112, KSR2113, KSR2114, TIP2955, KST06, KST10, KST1009F1, KST1009F2, KST1009F3, KST1009F4, KST1009F5, KST13

 

 

 

 

↑ Back to Top
.